| 型号： | FDC3601N | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Fairchild Semiconductor | 描述： | MOSFET N-CH DUAL 100V SSOT-6 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| FDC3601N PDF |  |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告 | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | PowerTrench® |
| FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 500 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 153pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 700mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装 | 6-SSOT |
| 包装 | 标准包装 |
| 其它名称 | FDC3601NDKR |